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FB260N-VB 產品詳細

產品簡介:

FB260N-VB MOSFET 產品簡介

FB260N-VB 是一款高性能單通道N-Channel MOSFET,封裝為TO220。該MOSFET設計用於高電壓和高電流應用,能夠處理高達200V的漏極到源極電壓(VDS),並且最大柵極到源極電壓(VGS)為±20V。FB260N-VB具有較低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為46mΩ,這有助於減少功率損耗。其閾值電壓(Vth)為3V,能夠在較低的柵極電壓下開始導通,使其適用於各種開關應用。最大連續漏極電流(ID)為50A,適合高電流負載的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
詳細參數說明

1. **封裝**: TO220
- TO220封裝提供優良的散熱性能,適用於中到高功率應用。

2. **配置**: 單通道N-Channel
- 單通道N-Channel配置適用於正電壓開關和高電流控制。

3. **VDS(漏極到源極電壓)**: 200V
- 最大漏極到源極電壓為200V,適合高電壓開關應用。

4. **VGS(柵極到源極電壓)**: ±20V
- 最大柵極到源極電壓範圍為±20V,確保在各種驅動條件下的穩定性。

5. **Vth(閾值電壓)**: 3V
- MOSFET在柵極到源極電壓為3V時開始導通,適合低電壓控制應用。

6. **RDS(ON)(導通電阻)**:
- VGS=10V時為46mΩ
- 低導通電阻有助於減少功率損耗,提高開關效率。

7. **ID(連續漏極電流)**: 50A
- MOSFET能夠處理的最大連續漏極電流,適合高電流負載應用。

8. **技術**: Trench
- 採用Trench技術,具備低導通電阻和高電流處理能力,適用於高效開關應用。

領域和模塊應用:

應用實例

FB260N-VB MOSFET 的高電壓、高電流處理能力以及低導通電阻使其適用於多種領域和模組。以下是幾個典型應用實例:

1. **電源開關**:
- 在電源開關應用中,FB260N-VB 可用於高電壓和高電流的開關控制。其低導通電阻和高電流處理能力使其在DC-DC轉換器、AC-DC適配器等電源管理系統中提供高效的開關性能。

2. **電機驅動**:
- 適用於電機驅動系統中的開關控制。FB260N-VB 能夠處理高電流,適合用於直流電機、步進電機等電機驅動電路中的開關控制。

3. **功率放大器**:
- 用於功率放大器的開關和調節。FB260N-VB 適合在功率放大器中作為開關組件,能夠承受高電壓和高電流,提高系統的效率和可靠性。

4. **電流保護**:
- 在電流保護模組中,FB260N-VB 的高電流承載能力使其能夠用於電流超載保護電路中,提供穩定的開關控制,保護其他組件免受過電流損害。

總之,FB260N-VB MOSFET 以其出色的電壓和電流處理能力,以及低導通電阻,適合用於電源開關、電機驅動、功率放大器和電流保護等多個領域,顯著提升系統的性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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