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FB3077G-VB 產品詳細

產品簡介:

FB3077G-VB MOSFET 產品簡介

FB3077G-VB是一款高電流N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高功率和高效率應用設計。該MOSFET支持高達80V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),並具有較低的柵極閾值電壓(Vth)為3V,確保在較低的柵電壓下能夠有效開關。FB3077G-VB利用Trench技術製造,提供極低的導通電阻(RDS(ON)),分別為3.6mΩ(在VGS=4.5V時)和3mΩ(在VGS=10V時),以及高達195A的漏極電流(ID)。這些特性使FB3077G-VB非常適合用於高電流、高功率的應用場景,提供優異的開關性能和高效能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
FB3077G-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS):** 80V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth):** 3V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 195A
- **技術類型(Technology):** Trench

領域和模塊應用:

FB3077G-VB MOSFET 適用領域與應用模組

FB3077G-VB MOSFET由於其超低的導通電阻和高電流處理能力,適用於以下領域和模組:

1. **高效電源轉換器:** 在高效電源轉換器(如DC-DC轉換器)中,FB3077G-VB能夠處理高電流負載,且提供極低的功耗損失。其低導通電阻有助於提升系統效率,減少能源浪費。

2. **電機驅動系統:** 在高功率電機驅動應用中,FB3077G-VB能夠有效地控制電機的開關和運行。其高電流處理能力使其適合於大功率電機的驅動,提供穩定的性能和高效能。

3. **功率放大器:** 在功率放大器電路中,FB3077G-VB可以處理大功率信號,提供穩定的開關性能。其超低導通電阻有助於減少功率損失,提高功率放大器的效率和可靠性。

4. **高功率開關電源:** FB3077G-VB適用於高功率開關電源設計,如高功率變換器和電源模組。其高電流能力和低導通電阻使其成為高功率電源應用中的理想選擇。

5. **電力保護電路:** 在高電流電力保護電路中,FB3077G-VB能夠提供高效的開關和保護功能,保障電路的穩定性和安全性。其優秀的開關特性和高電流處理能力確保了系統的可靠性和穩定運行。

FB3077G-VB MOSFET憑藉其卓越的電流處理能力和低導通電阻,非常適合高功率和高電流的應用場景,能夠提供優異的性能和高效的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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