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FB5620-VB 產品詳細

產品簡介:

FB5620-VB MOSFET 產品簡介

FB5620-VB是一款高電壓、高電流N溝道MOSFET,封裝為TO220。該MOSFET採用Trench技術,專為需要大電流和高電壓的應用設計。其漏源電壓(VDS)最高可達200V,漏極電流(ID)達到35A,適用於需要大功率處理的場景。FB5620-VB的導通電阻在VGS=10V時為58mΩ,確保低損耗和高效的電流傳輸。這使其在電源管理、電機控制和功率轉換等高功率應用中具有優越的性能和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A 58mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 35A Trench
FB5620-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**: FB5620-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 200V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 58mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 35A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

FB5620-VB MOSFET 應用領域和模組

FB5620-VB MOSFET因其高電壓和大電流處理能力,適用於多種領域和模組:

1. **高功率電源供應**: 在高功率電源供應系統中,FB5620-VB能夠處理高達200V的電壓,並提供穩定的電流。其低導通電阻確保了高效能的電源轉換和減少功率損耗,從而提高電源系統的整體效率。

2. **電機驅動和控制**: 在電機驅動和控制應用中,FB5620-VB的高電流處理能力和高電壓耐受性使其能夠穩定地控制大功率電機。其低導通電阻有助於減少功率損耗和熱量產生,保證電機在各種負載條件下的可靠運行。

3. **功率轉換器**: 在功率轉換器中,FB5620-VB可用於高電壓和大電流的開關操作,其Trench技術提供了低導通電阻和高開關效率。這使得其在轉換器設計中能夠有效減少能量損耗,提高轉換效率。

4. **電池管理系統**: 在電池管理系統中,FB5620-VB可以用於開關控制和保護電路。其高電流能力和高電壓額定值幫助確保電池的穩定充放電,同時保護電池免受過電流和過電壓的損害。

5. **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中,FB5620-VB的高電壓和大電流能力使其能夠高效地處理來自太陽能電池板的電力。其低導通電阻確保了高效能量傳輸,優化了逆變器的整體性能和可靠性。

FB5620-VB MOSFET的高電壓耐受性和大電流處理能力,使其在各類高功率、高電壓應用中表現出色,適合用於現代電子設備和工業應用中的關鍵組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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