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FDMC7572S-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
FDMC7572S-VB 是一款高性能的 N 型 MOSFET,採用緊湊的 DFN8(3X3) 封裝。它專為需要高效開關的應用設計,具有高電流承載能力和低導通電阻。該 MOSFET 的最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 額定值為 ±20V。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 3mΩ,在 VGS 為 10V 時為 2mΩ。FDMC7572S-VB 利用先進的溝槽 (Trench) 技術製造,提供極低的導通電阻和高電流處理能力,適合用於高效電源管理和功率開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 70A Trench
詳細參數說明
- **封裝類型**: DFN8(3X3)
- **通道配置**: 單 N 型
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術**: 溝槽 (Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例
FDMC7572S-VB 的高電流處理能力和低導通電阻特性使其在多個領域表現出色:

1. **電源管理系統**: 在電源管理應用中,FDMC7572S-VB 可以作為高效開關,用於高電流電源軌的控制。其低導通電阻有助於減少功耗和提高電源效率,適合用於高效能電源設計。

2. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 轉換器模組中,這款 MOSFET 作為開關元件可以提高轉換效率。低導通電阻減少了開關損耗,提高了整體功率轉換效率,非常適合用於高電流電源轉換應用。

3. **電池管理系統**: 在電池管理系統中,FDMC7572S-VB 可用於控制電池充放電過程。其高電流承載能力確保電池管理的穩定性和可靠性,同時降低功耗,保護電池壽命。

4. **LED 驅動器**: 這款 MOSFET 適用於 LED 驅動應用,可以作為負載開關控制 LED 的亮度和開關狀態。低導通電阻幫助提高系統效率和減少熱量產生,從而延長 LED 的使用壽命。

5. **汽車電子設備**: 在汽車電子系統中,FDMC7572S-VB 可以用於高電流負載開關,如電動窗控制、電動座椅調節等。其高效能和可靠性滿足汽車系統的嚴格要求。

FDMC7572S-VB 的 30V 漏源電壓、2mΩ 導通電阻和 70A 漏極電流,使其在需要高效開關和高電流處理的應用中表現出色,提供了高性能和可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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