產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3)-C |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
28A |
|
|
16/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3)-C |
Half-Bridge-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3)-C |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
28A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3)-C |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
28A |
|
Trench |
二、FDMC8200S-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: DFN8(3x3)-C
- **配置**: 半橋（N+N 溝道）
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N1-MOSFET @ VGS = 4.5V: 22mΩ
- N2-MOSFET @ VGS = 4.5V: 45mΩ
- N1-MOSFET @ VGS = 10V: 16mΩ
- N2-MOSFET @ VGS = 10V: 40mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 28A
- **技術**: Trench
領域和模塊應用：
三、FDMC8200S-VB 應用領域和模組
FDMC8200S-VB 的高效能和低導通電阻特性使其在多個領域中表現出色：
1. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 轉換器應用中，FDMC8200S-VB 的半橋配置使其非常適合用於橋式開關電路。其低導通電阻和高電流能力幫助提高轉換效率，適合用於降壓、升壓或反向轉換器等高效電源管理模組。
2. **電源管理**: 在電源管理系統中，FDMC8200S-VB 可以作為開關元件，幫助控制電流和提高系統效率。它的高電流處理能力和優良的開關性能使其適用於電源開關、負載開關等高功率應用。
3. **電動汽車**: 在電動汽車的電源系統中，FDMC8200S-VB 的高效性能有助於優化電池管理和電機驅動系統。其低導通電阻和穩定的開關特性使其適用於電池保護開關、電機驅動模組等需要高功率開關的應用。
4. **功率放大器**: 在功率放大器中，FDMC8200S-VB 可以用作高效的開關組件，幫助提高系統的功率傳輸效率和降低功耗。其半橋配置特別適合用於功率放大器和類D放大器中。
FDMC8200S-VB 結合了先進的 Trench 技術、半橋配置和高電流處理能力，是高功率、高效率應用中的優選 MOSFET 解決方案。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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