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FDMC8200-VB 產品詳細

產品簡介:

FDMC8200-VB MOSFET 產品簡介

FDMC8200-VB 是一款高效能的半橋配置 N-Channel MOSFET,採用 DFN8 (3x3)-C 封裝。該器件設計用於高電流和低電壓應用,支持高達 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 28A 的最大連續漏電流 (ID)。FDMC8200-VB 採用 Trench 技術,具有低導通電阻,提供卓越的開關性能和高效能,適用於各種需要高電流切換和功率管理的應用場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 28A 16/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3)-C Half-Bridge-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 28A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 28A Trench
詳細參數說明

- **封裝:** DFN8 (3x3)-C
- **配置:** 半橋 N+N-Channel
- **漏源電壓 (VDS):** 30V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 22mΩ / 45mΩ @ VGS = 4.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 16mΩ / 40mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID):** 28A
- **技術:** Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **DC-DC 轉換器:** FDMC8200-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於 DC-DC 轉換器中的半橋配置。它可以提供高效的開關性能和穩定的電源轉換,尤其是在要求高功率和高效率的應用中,如伺服器電源和工業電源系統。

2. **電機驅動器:** 在電機驅動應用中,FDMC8200-VB 可用於驅動電機的 H 橋電路。其高電流承載能力和低功耗特性確保電機驅動器的高效運行,廣泛應用於電動工具、家用電器和汽車電機控制。

3. **功率管理:** 該 MOSFET 也適用於功率管理模組,如電源開關和負載開關。其半橋配置可以實現高效的功率分配和開關控制,適合用於各種消費電子產品和工業設備中的功率管理。

4. **電池管理系統:** 在電池管理系統中,FDMC8200-VB 可以用作電池保護和切換控制元件。其高電流處理能力和低導通電阻幫助有效管理和保護電池,確保系統的長時間穩定運行。

FDMC8200-VB 的半橋 N-Channel 配置和高效能使其在多種高功率和高電流應用中表現優異,特別是在要求高效率和穩定性的功率管理系統中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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