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FDMC86116LZ-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

FDMC86116LZ-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,採用DFN8(3X3)封裝,並利用Trench技術進行設計。這款MOSFET具有100V的漏源極電壓(VDS)和50A的最大漏極電流(ID),為電源管理和高電流應用提供了極佳的解決方案。其低導通電阻(RDS(ON))確保了高效的電流傳輸和較低的功率損耗,非常適合高性能的電源轉換和負載開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 100V 2.5V 50A 10mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 100V 2.5V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 100V 2.5V 50A Trench
詳細參數說明

- **型號**: FDMC86116LZ-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

FDMC86116LZ-VB MOSFET憑藉其高電壓承受能力和低導通電阻,適用於多個領域和模組,以下是一些具體應用示例:

1. **電源管理系統**: 在DC-DC轉換器和穩壓器中,FDMC86116LZ-VB的高電壓和低導通電阻使其能夠高效地處理電流並降低功率損耗,提升整體系統的效率和可靠性。特別適合用於要求高電壓和高電流的電源設計。

2. **電池管理系統**: 在電池保護和管理模組中,該MOSFET能夠有效控制電池的充放電過程,提供穩定的電流傳輸。低RDS(ON)特性有助於減少功率損耗,延長電池壽命,提高系統的整體效率。

3. **電機驅動應用**: 在電機控制和驅動模組中,FDMC86116LZ-VB能夠可靠地驅動高電壓電機負載,其高電流承載能力確保電機的穩定運行。特別適合用於電機驅動系統中的高效開關和控制。

4. **消費電子產品**: 在智能手機、平板電腦和筆記本電腦等消費電子設備中,該MOSFET用於電源管理和負載開關,提供穩定的電流控制和低功耗操作,提升設備的性能和用戶體驗。

5. **工業自動化**: 在工業自動化設備中,如工控設備和可編程邏輯控制器(PLC),FDMC86116LZ-VB的高電壓和高電流處理能力使其適合用於工業控制和負載開關,確保設備的可靠性和穩定性。

6. **通信設備**: 在通信設備中,如基站和路由器,FDMC86116LZ-VB用於電源管理和負載控制。其低導通電阻和高電流能力有助於減少功率損耗,提高設備的穩定性和性能。

FDMC86116LZ-VB MOSFET的高電壓承受能力和低導通電阻,使其成為多個高性能應用中的理想選擇,特別是在要求高效能和高可靠性的電源管理和負載開關場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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