推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

FDMS7600AS-VB 產品詳細

產品簡介:

FDMS7600AS-VB MOSFET 產品簡介

FDMS7600AS-VB 是一款高效能的半橋 N+N-Channel MOSFET,採用 DFN8 (5x6)-C 封裝,具有較高的電流處理能力和低導通電阻。該器件的漏源電壓 (VDS) 為 30V,最大連續漏電流 (ID) 為 60A。它的柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,具備良好的開關性能,能夠有效降低功率損耗。該 MOSFET 採用 Trench 技術,提供了優異的導通電阻,分別在 VGS = 4.5V 時為 4mΩ,在 VGS = 10V 時為 3.4mΩ,非常適合用於各種高效電源轉換和電機驅動應用中。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A 3.4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6)-C Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 60A Trench
詳細參數說明

- **封裝:** DFN8 (5x6)-C
- **配置:** 半橋 N+N-Channel
- **漏源電壓 (VDS):** 30V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.4mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID):** 60A
- **技術:** Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **同步整流器:** FDMS7600AS-VB 非常適用於高效同步整流器電路。其低導通電阻和高電流能力能夠顯著減少功耗,提高電源轉換效率,特別適用於開關電源和 DC-DC 轉換器中。

2. **電機驅動:** 在電機驅動應用中,該 MOSFET 的雙 N-Channel 配置使其非常適合用於半橋或全橋電機驅動器。它能夠提供高效的電流傳導,適用於電動工具、電動汽車和其他需要高功率密度的電機驅動系統。

3. **高效電源模組:** FDMS7600AS-VB 在高效電源模組中表現優異,尤其適合用於伺服器、數據中心和工業電源系統中。其低 RDS(ON) 和高電流處理能力能夠顯著提升系統的能效和可靠性。

4. **電池管理系統:** 由於其優異的開關特性和低功耗,FDMS7600AS-VB 也非常適合用於電池管理系統中,如鋰電池保護板和電池均衡器等應用,確保系統的高效充放電和電池壽命的延長。

FDMS7600AS-VB MOSFET 提供了卓越的電氣性能和高效能,適用於多種高要求的電源管理和電機驅動應用,為系統設計提供了可靠且高效的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢