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FDP3651U-VB 產品詳細

產品簡介:

FDP3651U-VB MOSFET 產品簡介

FDP3651U-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,設計用於高電壓和大電流的應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓 (VDS) 為 100V,柵源電壓 (VGS) 的公差為 ±20V。採用先進的 Trench 技術,提供了極低的導通電阻和優異的電流處理能力。其閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,保證了快速的開關回應。在 VGS=4.5V 時,RDS(ON) 為 20mΩ,而在 VGS=10V 時,RDS(ON) 降至 9mΩ,支持高達 100A 的連續電流。這些特性使得 FDP3651U-VB 成為高功率和高效率應用中的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型:** TO220
- **配置:** 單N通道
- **漏源電壓 (VDS):** 100V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 2.5V
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V:** 20mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V:** 9mΩ
- **連續漏電流 (ID):** 100A
- **技術:** Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組

FDP3651U-VB MOSFET 的優異性能使其在多個領域和模組中表現出色:

1. **電力管理系統:** 在電力管理和電源轉換系統中,FDP3651U-VB 可用作高功率開關,優化電源效率。其低導通電阻和高電流能力使其成為高效電源管理的理想選擇,尤其是在需要高效能和低功耗的應用場景中。

2. **電動汽車和電池管理:** 在電動汽車和電池管理系統中,FDP3651U-VB 可用於電池控制和電機驅動模組。其高電流處理能力和低 RDS(ON) 確保了電動汽車的可靠運行和高效能,提升了車輛的整體性能。

3. **工業設備和電機驅動:** 該 MOSFET 適用於工業設備中的電機驅動和功率控制系統。在這些高負載和高功率的應用中,FDP3651U-VB 提供了穩定的性能和高效的能量轉換,確保設備的可靠性和高效運作。

4. **通信和數據中心:** 在通信基站和數據中心的電源模組中,FDP3651U-VB 能夠提供穩定的電源支持和高效的電源轉換。其高電流能力和低導通電阻使其在需要高功率和高效能的環境中表現出色,降低了整體能耗。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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