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FDP5N50NZ-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

FDP5N50NZ-VB 是一款高壓 N 型 MOSFET,封裝形式為 TO220,設計用於處理高電壓和中等電流的應用。該 MOSFET 能夠承受高達 600V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在 VGS=10V 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 為 780mΩ,而在 VGS=4.5V 時為 1070mΩ,支持最大漏極電流 (ID) 為 8A。FDP5N50NZ-VB 採用 Plannar 技術,適用於高電壓開關和電力管理應用,其結構設計確保了在高電壓操作中的穩定性和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單通道 N 型
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: Plannar

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

1. **高壓電源開關**: FDP5N50NZ-VB 適用於高壓電源開關應用,如高電壓 DC-DC 轉換器和電源管理系統。其高漏源電壓和穩定的開關性能使其能夠在高電壓條件下可靠地工作,保證電源系統的穩定性和效率。

2. **電機驅動**: 在電機驅動應用中,尤其是處理中高電壓的驅動系統,該 MOSFET 可以作為關鍵的開關元件。其高電壓處理能力和中等導通電阻支持電機的高效啟動和運行,適用於電機控制系統。

3. **電力轉換器**: FDP5N50NZ-VB 可用於電力轉換器中的開關組件,如高電壓電力轉換和調節模組。其高漏源電壓和導通電阻的特性使其適合在高電壓環境中進行電力轉換,提高系統的轉換效率。

4. **逆變器**: 在逆變器設計中,該 MOSFET 適用於高電壓開關操作,將直流電源轉換為交流電。其高漏源電壓能力和中等電流處理能力使其在高壓逆變器系統中表現出色,確保系統的可靠性和高效運行。

FDP5N50NZ-VB 的高漏源電壓、適中的導通電阻和強大的電流處理能力,使其在高壓電源開關、電機驅動、電力轉換器以及逆變器等領域中表現優異,適合用於需要高電壓和中等電流處理的應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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