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FDP61N20-VB 產品詳細

產品簡介:

FDP61N20-VB MOSFET 產品簡介

FDP61N20-VB 是一款高耐壓單N通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。該 MOSFET 最大漏源電壓 (VDS) 為 200V,柵源電壓 (VGS) 的公差為 ±20V。它採用了 Trench 技術,這種技術可以提供較低的導通電阻和優良的性能穩定性。閾值電壓 (Vth) 為 4V,確保了良好的開關控制特性。在 VGS=10V 時,RDS(ON) 為 17mΩ,支持高達 80A 的連續電流。這些特性使 FDP61N20-VB 在需要高耐壓和高電流處理能力的應用中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 4V 80A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 4V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 4V 80A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型:** TO220
- **配置:** 單N通道
- **漏源電壓 (VDS):** 200V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 4V
- **RDS(ON) @ VGS=10V:** 17mΩ
- **連續漏電流 (ID):** 80A
- **技術:** Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組

FDP61N20-VB MOSFET 的高耐壓和高電流特性使其在多個領域和模組中表現優異:

1. **高壓電源管理:** 在高壓電源管理系統中,FDP61N20-VB 作為主開關元件使用,可以處理高電壓和大電流的轉換任務。其高耐壓特性確保了在高電壓環境下的可靠性,而低導通電阻提高了能效和穩定性。

2. **電動汽車電源系統:** 在電動汽車的電池管理和電機驅動系統中,FDP61N20-VB 可用於高電壓電源開關和控制。其高電流處理能力和穩定的性能提升了電動汽車的整體效率和可靠性,支持高效能的電池和電機控制。

3. **工業電機控制:** 在工業電機驅動和控制系統中,FDP61N20-VB 可用作電機控制器中的開關元件。它能夠處理高電壓和高電流的負載,提高電機驅動系統的效率和穩定性,適用於各種工業應用。

4. **功率轉換和逆變器:** 在功率轉換系統和逆變器中,FDP61N20-VB 能夠處理高電壓的轉換任務。其高耐壓特性和低導通電阻確保了逆變器的高效能和可靠性,適用於太陽能逆變器和其他需要高電壓功率轉換的應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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