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FDP7N50U-VB 產品詳細

產品簡介:

FDP7N50U-VB 產品簡介

FDP7N50U-VB 是一款高壓單N通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,特別適合高電壓和高功率應用。此 MOSFET 採用 Plannar 技術製造,具有高漏源電壓和較高的導通電阻,適用於需要高電壓耐受能力的電力電子系統。儘管其導通電阻相對較高,但在處理高電壓的環境中仍能提供可靠的性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
詳細參數說明

- **型號**: FDP7N50U-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 8A
- **技術**: Plannar

領域和模塊應用:

適用領域與模組舉例

1. **高壓電源供應**: FDP7N50U-VB 的高漏源電壓 (VDS) 使其非常適合用於高壓電源供應系統。這些系統包括高壓直流電源和交流電源轉換器,能夠在高電壓環境下提供穩定的開關性能和可靠的電流控制。

2. **功率轉換器**: 在需要高電壓耐受能力的功率轉換器中,該 MOSFET 能夠處理高電壓並提供穩定的導通狀態。適用於工業電源轉換器和高壓逆變器,確保系統在高電壓操作條件下的穩定性和可靠性。

3. **電機驅動**: FDP7N50U-VB 可以用於高電壓電機驅動系統中,例如交流電機和直流電機驅動電路。雖然其導通電阻較高,但在處理高電壓負載時,能夠有效控制電流並保證電機的穩定運行。

4. **焊接設備**: 高電壓焊接設備,如電弧焊機,常需要能夠承受高電壓的開關元件。FDP7N50U-VB 在這些設備中提供了穩定的電流控制,並在高電壓條件下運行,確保焊接過程的可靠性和效果。

FDP7N50U-VB 的高漏源電壓和適中的導通電阻使其在需要高電壓耐受和穩定電流控制的應用中表現良好,是高壓電源和功率轉換系統中的重要元件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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