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FDS6676-NL-VB 產品詳細

產品簡介:

FDS6676-NL-VB MOSFET 產品簡介

FDS6676-NL-VB是一款低電壓單通道N溝道MOSFET,採用SOP8封裝。該器件的主要特性包括30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和1.7V的門檻電壓(Vth)。它具有極低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時為5mΩ,在VGS為10V時僅為4mΩ,能夠支持高達18A的連續漏極電流(ID)。該器件採用Trench技術,提供了優異的開關性能和低損耗,是高效能應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**:SOP8
- **極性配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術類型**:Trench技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C
- **功耗 (PD)**:2.5W

領域和模塊應用:

適用領域和模組的應用實例

FDS6676-NL-VB MOSFET因其低導通電阻、高電流處理能力以及快速開關特性,適用於多個領域和模組:

1. **電源管理模組**:適用於DC-DC轉換器、同步整流器等電源管理模組中,在這些應用中,MOSFET的高效開關和低損耗性能至關重要,有助於提高整個電源系統的效率。

2. **汽車電子**:在汽車控制單元和負載開關中,FDS6676-NL-VB能夠提供可靠的電流控制和電源分配,確保在惡劣的環境條件下仍能穩定運行。

3. **消費電子**:例如智能手機、筆記本電腦等消費類電子設備中的充電電路和電源管理晶片中,FDS6676-NL-VB因其小封裝和高效能特點,能夠幫助設備實現更長的電池續航和更小的體積設計。

4. **工業控制**:在PLC(可編程邏輯控制器)和工廠自動化系統中,FDS6676-NL-VB可用作開關元件,以其出色的性能確保精確的控制和低功耗操作。

通過在這些領域的應用,FDS6676-NL-VB MOSFET展示了其在低電壓、高電流應用中的優勢,提供了卓越的效率和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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