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FDS6986S-NL-VB 產品詳細

產品簡介:

FDS6986S-NL-VB MOSFET 產品簡介

FDS6986S-NL-VB 是一款雙 N 通道半橋 MOSFET,採用 SOP8 封裝,設計用於需要高效開關和精確控制的應用場合。該器件具有 30V 的最大漏源電壓(VDS),柵極電壓(VGS)最高可承受 ±20V,適合多種電源管理應用。其柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其能夠在較低的柵極驅動電壓下迅速開啟。採用先進的溝槽(Trench)技術,FDS6986S-NL-VB 在柵極驅動電壓為 4.5V 和 10V 時,分別具有 21.6mΩ 和 18mΩ 的導通電阻(RDS(ON)),能夠在較高電流下保持低導通損耗。其最大漏極電流為 6.8A(下橋臂)和 10A(上橋臂),非常適合需要高效開關和低功耗的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 6.8/10A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Half-Bridge-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 6.8/10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Half-Bridge-N+N 30V 1.7V 6.8/10A Trench
FDS6986S-NL-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 半橋 N+N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 21.6mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:
- 6.8A(下橋臂)
- 10A(上橋臂)
- **技術類型**: 溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

FDS6986S-NL-VB 的半橋 N+N 通道配置使其特別適合高效電源管理和電機控制應用。以下是其適用領域和應用模組的具體例子:

1. **同步降壓轉換器**: FDS6986S-NL-VB 可用於同步降壓轉換器(Buck Converter)中,作為上下橋臂 MOSFET 配合工作。其低導通電阻和高電流能力能夠提高轉換器的整體效率,適合用於電腦電源、移動設備充電器和工業電源模組中。

2. **電機驅動**: 該器件的半橋配置使其適用於無刷直流電機(BLDC)的驅動電路。在電動工具、無人機和家用電器等應用中,FDS6986S-NL-VB 能夠有效地控制電機的轉速和方向,提高系統的可靠性和效率。

3. **電源管理模組**: FDS6986S-NL-VB 還可以用於電源管理模組(Power Management Module)中,特別是需要精確控制和高效能量轉換的場合,例如電池管理系統(BMS)、太陽能逆變器和能源存儲系統。

4. **負載開關**: 該 MOSFET 可作為負載開關應用於智能家居、消費電子產品中,提供高效的開關控制和低功耗操作,確保系統的整體功耗降至最低。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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