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FDS8672S-NL-VB 產品詳細

產品簡介:

FDS8672S-NL-VB MOSFET 產品簡介

FDS8672S-NL-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,設計用於要求高效功率管理和低功耗的應用。該器件支持高達 30V 的最大漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵極電壓(VGS),使其在各種電源環境中具有良好的穩定性。FDS8672S-NL-VB 的柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其能夠在較低的柵極驅動電壓下迅速開啟。採用先進的溝槽(Trench)技術,該 MOSFET 在柵極驅動電壓為 4.5V 和 10V 時,分別具有 5mΩ 和 4mΩ 的低導通電阻(RDS(ON)),從而減少了導通損耗,提高了整體系統的效率。其最大漏極電流(ID)為 18A,適合高電流和高效能量轉換的應用場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
FDS8672S-NL-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術類型**: 溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

FDS8672S-NL-VB 的單 N 通道設計、低導通電阻和高電流能力使其適用於多種電源管理和開關應用。以下是幾個具體應用場景的例子:

1. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 降壓轉換器中,FDS8672S-NL-VB 作為開關 MOSFET 使用,其低導通電阻和高電流處理能力提高了轉換效率,廣泛應用於電腦電源、伺服器電源和通信設備中,確保穩定的電源輸出。

2. **負載開關**: 由於其優異的電流能力和低功耗特性,FDS8672S-NL-VB 非常適合用作智能家居設備中的負載開關。例如,在家電產品和智能燈光系統中,它可以有效控制高功率負載的啟停,提高系統的整體性能。

3. **電池管理系統(BMS)**: 在電池管理系統中,FDS8672S-NL-VB 可用於電池的充放電控制。其低導通電阻降低了電能損失,提高了電池系統的整體能效,適用於電動汽車和可再生能源存儲系統等領域。

4. **電機驅動電路**: FDS8672S-NL-VB 也適用於無刷直流電機(BLDC)的驅動電路中,在電動工具、無人機和家用電器中提供高效的電機控制和高電流處理能力。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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