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FDS9925A-VB 產品詳細

產品簡介:

FDS9925A-VB MOSFET 產品簡介

FDS9925A-VB 是一款雙 N 通道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,適用於需要高效功率開關的電路。其設計允許在高達 20V 的漏源電壓(VDS)和 ±12V 的柵極電壓(VGS)下穩定運行。該 MOSFET 的柵極閾值電壓(Vth)範圍為 0.5 至 1.5V,使其在較低的柵極電壓下即可開啟。FDS9925A-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 26mΩ,在 VGS 為 10V 時為 19mΩ,這些特性有助於減少開關損耗,提高能效。它的最大漏極電流(ID)為 7.1A,適合各種電源管理和負載開關應用。該 MOSFET 採用先進的溝槽(Trench)技術,確保了優異的性能和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
FDS9925A-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±12V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 19mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7.1A
- **技術類型**: 溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

FDS9925A-VB 的雙 N 通道配置和低導通電阻使其在多個應用領域表現出色。以下是幾個具體的應用示例:

1. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 轉換器中,FDS9925A-VB 可以作為高效的開關元件,幫助實現高效能的電壓轉換。它適用於各種電源適配器和電腦電源系統,提供穩定的電源輸出並優化能效。

2. **負載開關**: FDS9925A-VB 的雙 N 通道設計使其特別適用於負載開關應用,如電池供電設備中的開關控制、電動工具的負載開關等。其低導通電阻確保了高效的開關性能和較低的功耗損耗。

3. **電源管理**: 在電源管理系統中,FDS9925A-VB 可用於控制電源的開關和調節功能,特別是在需要雙通道開關控制的場景,如智能家居系統中的電源模組、LED 驅動器和其他電源管理應用。

4. **電機驅動**: FDS9925A-VB 的高電流處理能力使其適用於電機驅動電路,尤其是在電動工具、電動玩具和機器人系統中。其低導通電阻和高效能有助於提升電機的運行效率和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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