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FH5250D-VB 產品詳細

產品簡介:

FH5250D-VB MOSFET 產品簡介

FH5250D-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,採用 DFN8 (5x6) 封裝,專為需要高電流和低導通電阻的應用設計。該 MOSFET 能承受高達 30V 的漏源電壓(VDS),並具有 ±20V 的柵極電壓(VGS)範圍,適合多種電力控制場合。其柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,低於此電壓時 MOSFET 進入導通狀態,具有良好的開關性能。FH5250D-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時僅為 1.2mΩ,在 VGS 為 4.5V 時為 1.8mΩ,能夠處理高達 128A 的漏極電流(ID)。採用先進的溝槽(Trench)技術,確保高開關效率和低功耗特性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A 1.2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A Trench
FH5250D-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1.2mΩ @ VGS = 10V
- 1.8mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 128A
- **技術類型**: 溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

FH5250D-VB 的高電流處理能力和極低的導通電阻使其在多個高性能應用中表現出色。以下是一些適用領域和模組示例:

1. **高效電源開關**: FH5250D-VB 可用作高電流電源開關,廣泛應用於電源管理模組和高效 DC-DC 轉換器中。其低導通電阻和高電流處理能力能夠顯著提高電源的整體效率,減少功率損耗。

2. **電機驅動系統**: 在電機驅動系統中,尤其是直流電機和步進電機控制中,FH5250D-VB 能夠作為高電流開關元件,提供穩定的電流控制,確保電機運行的可靠性和效率。

3. **電源逆變器**: 在逆變器系統中,FH5250D-VB 的高電流能力和低導通電阻使其成為理想的開關元件,能夠有效地轉換和控制電力,提高系統的整體性能和可靠性。

4. **功率放大器**: 在功率放大器設計中,FH5250D-VB 可以作為開關元件來控制高功率信號的傳輸。其優異的電氣特性幫助提升放大器的性能,確保信號傳輸的穩定性和高效性。

5. **高功率電流保護**: 在高功率電流保護應用中,如過流保護和電流限制電路中,FH5250D-VB 的高漏極電流和低導通電阻能夠提供可靠的電流保護,防止超載情況。

這些應用展示了 FH5250D-VB 在高電流和高效能場合中的優越性能,適合用於各種高功率和高電流需求的電子系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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