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FIR2N60APG-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介

FIR2N60APG-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為需要高耐壓且低電流處理的應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,導通電阻為3120mΩ @ VGS=10V。儘管其導通電阻較高,但它的高電壓耐受能力使其非常適合用於高壓電源和控制電路中。該MOSFET採用了平面技術,確保了在高電壓操作下的穩定性和可靠性,適合在需要可靠性和高壓處理能力的場合中使用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
二、詳細參數說明

- **型號**: FIR2N60APG-VB
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面技術
- **工作溫度範圍**: -55°C至150°C
- **功率耗散**: 25W

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組舉例

1. **高壓電源**:FIR2N60APG-VB 適用於高壓電源中的開關控制器件,特別是在需要較高電壓處理能力的場合。它的高耐壓特性確保了在高壓條件下的安全操作,同時其適中的電流處理能力使其適合低功率高壓應用。

2. **LED照明驅動器**:該MOSFET 可以用於高壓LED照明驅動器中,作為電源開關控制器件。雖然其導通電阻較高,但在低功率、高電壓應用中,它能夠提供穩定的性能,確保LED驅動器的可靠運行。

3. **電池充電器**:在需要高壓保護的電池充電器模組中,FIR2N60APG-VB 可以作為保護開關元件,防止電壓過高對系統造成損害。其高壓耐受性使其在這些應用中表現出色。

4. **電源轉換器**:FIR2N60APG-VB 還可以應用於高壓電源轉換器中,作為主要開關器件。它的高耐壓特性能夠處理高輸入電壓,同時在電源轉換過程中提供可靠的開關操作。

FIR2N60APG-VB MOSFET 在多個需要高壓處理能力的低功率應用中都能夠發揮其優勢,儘管其導通電阻較高,但其高電壓處理能力和可靠性使其成為這些應用中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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