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FIR5N60APG-VB 產品詳細

產品簡介:

一、FIR5N60APG-VB 產品簡介

FIR5N60APG-VB 是一款高壓N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,基於平面技術設計。該MOSFET具備600V的漏源極耐壓(VDS),支持±30V的柵源極電壓(VGS),閾值電壓(Vth)為3.5V。其在VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為1070mΩ,而在VGS=10V時為780mΩ,最大漏極電流(ID)為8A。這款MOSFET提供了優異的開關性能和較低的導通損耗,適用於中等電流的高壓開關應用,如電源管理、工業控制和照明系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
二、FIR5N60APG-VB 詳細參數說明

- **型號**: FIR5N60APG-VB
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 600V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: 平面技術
- **開關特性**: 穩定的開關性能,適合中等電流應用
- **溫度範圍**: -55°C ~ 150°C(結溫)
- **應用環境**: 適用於高壓開關和電源管理應用

領域和模塊應用:

三、FIR5N60APG-VB 適用領域和模組

FIR5N60APG-VB 主要適用於以下領域和模組:

1. **電源管理系統**: FIR5N60APG-VB 的600V高漏源極耐壓和較低的導通電阻使其在電源管理系統中表現優異,特別適合用於高壓DC-DC變換器和AC-DC適配器。這些系統需要高效的開關器件來保證能源的有效轉換和管理。

2. **工業控制系統**: 在工業控制系統中,FIR5N60APG-VB 可以作為開關元件應用於各種控制模組,如電機驅動和自動化設備。其高電壓耐受能力和可靠性確保了系統在高壓操作下的穩定性和安全性。

3. **照明系統**: FIR5N60APG-VB 的特性使其在高壓照明控制系統中也非常適用。特別是在高壓LED驅動和燈具控制中,其較低的導通電阻可以減少功耗和發熱,提高系統的整體效率和壽命。

4. **功率因數校正(PFC)電路**: 在PFC電路中,FIR5N60APG-VB 可以用作開關元件來優化電源的功率因數和減少電流諧波。其高電壓耐受能力和良好的開關性能使其在PFC應用中能夠穩定運行,確保電源系統的高效性能。

總結而言,FIR5N60APG-VB 是一款高壓低導通電阻MOSFET,適合用於多種高壓電源管理和開關應用,能夠提供穩定的性能和可靠的操作。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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