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FIR6N60PG-VB 產品詳細

產品簡介:

FIR6N60PG-VB MOSFET 產品簡介

FIR6N60PG-VB 是一款高電壓單通道N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,具有600V的高耐壓能力和8A的連續漏極電流。這款MOSFET基於平面技術工藝,具備較低的導通電阻(RDS(ON) = 1070mΩ @ VGS = 4.5V 和 RDS(ON) = 780mΩ @ VGS = 10V),適用於各種高電壓應用。其柵極閾值電壓(Vth)為3.5V,保證了在較低的門極驅動電壓下的穩定開啟。FIR6N60PG-VB 的設計優化了高壓性能和功率處理能力,適合用於需要高電壓和高功率處理的場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
FIR6N60PG-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**: FIR6N60PG-VB
- **封裝**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 600V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- 780mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術工藝**: 平面技術
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗 (Ptot)**: 45W(具體值需參考數據手冊)

領域和模塊應用:

FIR6N60PG-VB 應用領域和模組示例

1. **高壓電源管理**: FIR6N60PG-VB 適用於高壓電源管理系統,如開關電源(SMPS)和高壓直流-直流轉換器。其600V的耐壓能力使其能夠在處理高電壓輸入時提供可靠的功率控制和保護,特別適合用於高電壓電源模組中。

2. **電機驅動控制**: 在電機控制系統中,FIR6N60PG-VB 可用於電機逆變器和驅動模組。其較低的導通電阻確保了較高的功率效率,適合驅動高電壓電機,同時減少功率損耗,提高系統效率。

3. **工業開關設備**: FIR6N60PG-VB 可用於高壓工業開關設備中,如高壓繼電器和開關電路。其高耐壓和良好的開關性能使其在工業應用中能夠有效地進行高電壓開關和保護,保障設備的穩定運行。

4. **家電控制電路**: 在家用電器如空調、洗衣機和電熱水器中,FIR6N60PG-VB 可用於高壓控制電路,提供穩定的電壓調節和開關功能。其高耐壓特性使其能夠在高電壓環境下保持可靠的性能。

這些應用示例表明,FIR6N60PG-VB 在高電壓和高功率處理場景中具有廣泛的適用性,能夠為各種高電壓電源和控制系統提供高效、可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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