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FIR7N60PG-VB 產品詳細

產品簡介:

一、FIR7N60PG-VB 產品簡介

FIR7N60PG-VB 是一款高壓N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,並基於平面技術設計。該MOSFET具有600V的漏源極耐壓(VDS),支持±30V的柵源極電壓(VGS),閾值電壓(Vth)為3.5V。在VGS=4.5V時,其導通電阻(RDS(ON))為1070mΩ,而在VGS=10V時為780mΩ,最大漏極電流(ID)為8A。這款MOSFET的設計注重高電壓和中等電流的開關應用,適用於需要可靠和高效開關控制的電源管理和工業控制領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
二、FIR7N60PG-VB 詳細參數說明

- **型號**: FIR7N60PG-VB
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 600V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: 平面技術
- **開關特性**: 適合中等電流高壓應用,提供穩定開關性能
- **溫度範圍**: -55°C ~ 150°C(結溫)
- **應用環境**: 適用於高壓電源和工業控制系統

領域和模塊應用:

三、FIR7N60PG-VB 適用領域和模組

FIR7N60PG-VB 主要適用於以下領域和模組:

1. **電源管理系統**: FIR7N60PG-VB 的600V高漏源極耐壓和較低的導通電阻使其在電源管理系統中表現出色。它適用於高壓DC-DC變換器和AC-DC適配器,在這些應用中,器件能夠高效地開關和管理能量,確保系統穩定性和效率。

2. **工業控制系統**: 在工業自動化和控制系統中,FIR7N60PG-VB 作為開關元件用於控制中等電流負載。其高電壓耐受能力和穩定的開關特性,使其在電機驅動、電源控制和自動化設備中發揮關鍵作用。

3. **照明系統**: FIR7N60PG-VB 在高壓照明系統中,如LED驅動器和燈具控制模組中也有廣泛應用。其低導通電阻能夠減少功耗和發熱,提高系統的總體效率和可靠性。

4. **功率因數校正(PFC)電路**: 在PFC電路中,FIR7N60PG-VB 可以用作高壓開關元件,以優化電源的功率因數並減少諧波。它的高電壓耐受能力和優良的開關性能使其成為PFC電路中穩定和高效的選擇。

總的來說,FIR7N60PG-VB 是一款適合高壓、中等電流應用的功率MOSFET,其可靠的開關性能和高電壓耐受能力,使其成為電源管理和工業控制領域的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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