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FMP20N50E-VB 產品詳細

產品簡介:

FMP20N50E-VB 產品簡介

FMP20N50E-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,封裝類型為 TO220。該 MOSFET 採用 SJ_Multi-EPI 技術,專為高電壓和高功率應用設計。它能夠承受高達 650V 的漏源電壓,並具有較低的導通電阻。其閾值電壓為 3.5V,使其在高電壓環境下表現穩定,適合用於需要高功率處理和高電壓的電力電子應用。這款 MOSFET 提供了優秀的開關性能和可靠的操作,是電源和功率轉換應用中的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明

- **型號**:FMP20N50E-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:220mΩ(VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**:15A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域和模組

1. **高壓電源**
- FMP20N50E-VB 非常適合用於高壓電源的開關電路。其高漏源電壓(650V)和較低的導通電阻(220mΩ)能夠處理高電壓和高功率負載,確保電源系統的高效運行。它在電源設計中可以提供穩定的開關性能和有效的功率管理。

2. **功率轉換器**
- 在功率轉換器中,FMP20N50E-VB 能夠處理高電壓輸入,提供穩定的輸出。其優異的開關性能和低導通電阻使其適合用於各種電力轉換器應用,如逆變器、電壓調節器等,能夠有效地轉換和調節電壓。

3. **開關電源 (SMPS)**
- FMP20N50E-VB 適用於開關電源模組,特別是在需要處理高電壓和較大電流的場合。它的高電壓承受能力和低導通電阻有助於提高開關電源的效率和穩定性,減少功率損耗,提高整體性能。

4. **電機驅動**
- 在電機驅動應用中,FMP20N50E-VB 可以用於高電壓電機的驅動。其高耐壓和較低的導通電阻使其能夠處理電機驅動電路中的高電壓和較高電流,確保電機運行的可靠性和效率。

這些應用領域體現了 FMP20N50E-VB 在高電壓和高功率電力電子系統中的廣泛適用性。其高電壓承受能力和優良的開關性能使其成為多種電力電子應用中的關鍵組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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