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FQP2N50-VB 產品詳細

產品簡介:

FQP2N50-VB MOSFET 產品簡介

FQP2N50-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,具有極高的耐壓性能和較低的漏極電流承載能力。該器件的漏源電壓 (VDS) 高達650V,柵源電壓 (VGS) 為±30V,閾值電壓 (Vth) 為3.5V。導通電阻 (RDS(ON)) 在VGS=4.5V時為3900mΩ,在VGS=10V時為3120mΩ,最大漏極電流 (ID) 為2A。FQP2N50-VB 採用了平面技術(Plannar),適用於高電壓、低電流的應用場合,如高壓開關電路和功率轉換器中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
FQP2N50-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: Plannar(平面技術)
- **功率耗散**: 需參考產品手冊的具體數值,根據應用場景進行功率管理。

領域和模塊應用:

FQP2N50-VB MOSFET 應用領域與模組舉例

FQP2N50-VB MOSFET 適用於高電壓、低電流的應用場合,特別是在需要處理高壓的開關電路和能量轉換模組中。以下是一些典型的應用領域和模組:

1. **高壓開關電路**: FQP2N50-VB 非常適合在需要承受高電壓的開關電路中使用,例如用於開關電源中的高壓開關組件。其650V的漏源電壓使其在高壓輸入的電路中能夠穩定運行,並提供安全的隔離和控制。

2. **功率轉換器**: 在電力變換設備中,如AC-DC轉換器或DC-DC轉換器,FQP2N50-VB 可作為高壓側的開關元件使用。儘管其導通電阻較高,但在需要高耐壓能力的場合,這款MOSFET能夠有效地完成能量轉換任務。

3. **照明設備驅動**: FQP2N50-VB 適合用於高壓LED照明驅動電路中,特別是在商用或工業照明應用中。它能夠處理高壓驅動,確保照明設備的穩定性和可靠性。

4. **保護電路**: 由於其高電壓耐受能力,FQP2N50-VB 可以應用於各種高壓保護電路中,如浪湧保護和電壓鉗位電路。它能夠在電壓突升時起到開關或限流的作用,保護下游電路組件免受高壓損害。

5. **電源控制模組**: 在電力管理和控制模組中,該MOSFET可以用於高壓輸入和調節電路。雖然它的漏極電流承載能力有限,但其高耐壓特性使其在高電壓電源控制應用中表現出色。

綜上所述,FQP2N50-VB MOSFET 因其高耐壓和低電流承載能力,成為高壓應用中的重要器件,特別適合需要處理高電壓的場合,如高壓開關電路、功率轉換器和保護電路等。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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