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FQP2N80-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**FQP2N80-VB** 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,封裝形式為 TO220。該 MOSFET 專為極高電壓應用而設計,具有高達 850V 的漏源電壓(VDS),適用於要求較高電壓處理的電路。其柵源電壓(VGS)最大為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V。在 VGS = 10V 的條件下,導通電阻(RDS(ON))為 2700mΩ,最大漏電流(ID)為 4A。FQP2N80-VB 採用平面(Plannar)工藝技術,適用於高壓低電流應用領域,提供可靠的開關性能和電流控制。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
詳細參數說明

- **型號**: FQP2N80-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N型通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 850V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Plannar

領域和模塊應用:

應用領域和模組

**FQP2N80-VB** 的設計特性使其適用於多種需要高電壓處理能力的應用場景:

1. **電源適配器(Power Adapters)**: 由於其高耐壓特性,FQP2N80-VB 非常適合用於高壓電源適配器,特別是在 AC-DC 轉換器中。它能夠在高壓輸入條件下提供可靠的電流開關和控制,確保電源適配器的穩定性和安全性。

2. **工業控制系統(Industrial Control Systems)**: FQP2N80-VB 可以應用於工業控制系統中,用於驅動高電壓負載,如電磁閥和大功率繼電器等。它的高電壓處理能力確保了在惡劣工業環境中的可靠操作。

3. **照明系統(Lighting Systems)**: 在高壓照明系統中,特別是傳統的 HID 燈和高壓氣體放電燈具中,FQP2N80-VB 作為開關元件提供穩定的電流控制和可靠的開關性能,有助於提高照明系統的效率和壽命。

4. **功率轉換器(Power Converters)**: 該 MOSFET 適用於需要高壓轉換的功率轉換器,例如 AC-DC 轉換器和高壓 DC-DC 轉換器。其高電壓耐受性和低漏電流特性確保了功率轉換器的高效運行。

5. **音頻放大器(Audio Amplifiers)**: 在某些高壓音頻放大器中,FQP2N80-VB 可以用作開關元件,幫助處理高壓輸入信號並提供穩定的輸出,確保音頻放大器在高壓工作環境中的表現。

這些應用領域展示了 FQP2N80-VB 在處理高電壓應用中的廣泛適用性,其穩定的電流控制和開關特性確保了各類高壓電路的可靠性和效率。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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