FQP5P10-VB - VBsemi MOSFETs製造商

FQP5P10-VB 產品詳細

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參數
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產品簡介：

FQP5P10-VB MOSFET 產品簡介

FQP5P10-VB是一款高性能P溝道MOSFET，採用TO220封裝，適用於需要中等電壓和大電流的應用。該MOSFET具有-100V的漏源電壓（VDS）和-18A的連續漏極電流（ID），能夠處理負電流並在負壓條件下穩定工作。其導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為167mΩ，在VGS=4.5V時為178mΩ，確保了在開關操作中的高效能。FQP5P10-VB採用Trench技術，提供了優異的開關性能和熱管理，適用於各種電力電子設備。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A			167mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A		Trench

FQP5P10-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型（Package）：** TO220
- **配置（Configuration）：** 單P溝道（Single-P-Channel）
- **漏源電壓（VDS）：** -100V
- **柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 167mΩ@VGS=10V，178mΩ@VGS=4.5V
- **連續漏極電流（ID）：** -18A
- **技術（Technology）：** Trench技術
- **其他特點：** 高電流處理能力、低導通電阻、優良的開關性能和熱管理

領域和模塊應用：

FQP5P10-VB MOSFET 適用領域與模組

FQP5P10-VB MOSFET廣泛應用於需要P溝道MOSFET的高電流應用中。例如，在**電源管理系統**中，這款MOSFET可以作為高效的開關元件，幫助調節電流和電壓，提高系統的穩定性和能效。它也常用於**電動工具**中的電源開關或電機控制模組中，提供可靠的電流控制，確保電動工具在高負載條件下正常運行。此外，在**電池管理系統**中，FQP5P10-VB可用於管理充放電過程，確保電池的安全性和效率。它同樣適用於**DC-DC轉換器**和**LED驅動器**等應用中，提供高效的功率開關和控制。

憑藉其高電流處理能力和低導通電阻，FQP5P10-VB MOSFET在各種需要高效電流控制的電子設備中表現出色，是優化電力電子系統性能的理想選擇。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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