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FQP6N70-VB 產品詳細

產品簡介:

FQP6N70-VB MOSFET 產品簡介

FQP6N70-VB是一款高電壓N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為需要高電壓和中等電流的應用設計。該MOSFET能夠承受高達700V的漏源電壓(VDS),並且提供高達5A的連續漏極電流(ID),適合在高電壓環境下穩定工作。其導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為1100mΩ,確保了在高電壓下仍能提供可靠的開關性能。FQP6N70-VB採用SJ_Multi-EPI技術,提供了優異的開關性能和熱管理,適合各種高電壓電力電子應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A 1100mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
FQP6N70-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS):** 700V
- **柵源電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 1100mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流(ID):** 5A
- **技術(Technology):** SJ_Multi-EPI技術
- **其他特點:** 高電壓處理能力、適中的導通電阻、優秀的開關性能和熱管理

領域和模塊應用:

FQP6N70-VB MOSFET 適用領域與模組

FQP6N70-VB MOSFET適用於各種高電壓電力電子應用。例如,在**高壓開關電源**中,這款MOSFET能夠高效地處理電力轉換,適用於電源適配器、工業電源和通信設備等領域。它也常用於**逆變器**中,特別是在需要高電壓和高功率的太陽能逆變器和UPS系統中,提供穩定的功率轉換和管理。對於**電動汽車充電器**和**高壓電池管理系統**,FQP6N70-VB也能有效控制充放電過程,確保電池系統的安全和性能。此外,它還適用於**高壓開關**和**燈光控制系統**,提供可靠的開關功能和高效的電力管理。

憑藉其高電壓承受能力和良好的開關性能,FQP6N70-VB MOSFET在高電壓電力電子系統中表現優異,是滿足高電壓應用需求的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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