產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
900V |
|
3.5V |
7A |
|
|
950mΩ |
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
900V |
|
3.5V |
7A |
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
900V |
|
3.5V |
7A |
|
SJ_Multi-EPI |
詳細參數說明
1. **封裝:** TO-220
- TO-220封裝提供了優良的散熱性能和機械強度，適合中等至高功率應用，確保MOSFET能夠在高功率條件下穩定工作。
2. **配置:** 單N溝道
- 作為N型通道MOSFET，FQP9N90C-VB 使用電子作為主要電荷載體，適合負電壓開關和控制應用。
3. **VDS (漏源電壓):** 900V
- 漏極和源極之間的最大電壓為900V，使其能夠處理高電壓負載，適用於高電壓開關應用。
4. **VGS (柵源電壓):** ±30V
- 柵極和源極之間的最大電壓為±30V，支持較大的柵驅動電壓範圍，以確保MOSFET在各種控制條件下的穩定操作。
5. **Vth (柵極閾值電壓):** 3.5V
- 使MOSFET開始導通的柵極電壓為3.5V，適合低柵驅動電壓的控制需求。
6. **RDS(ON) (導通電阻):**
- 950mΩ @ VGS=10V
- 在高柵驅動電壓下的導通電阻為950mΩ，提供相對較低的導通損耗。
7. **ID (漏極電流):** 7A
- 能夠處理的最大連續漏電流為7A，適合中等電流應用。
8. **技術:** SJ_Multi-EPI
- SJ_Multi-EPI技術提供了較高的電壓耐受能力和較低的導通電阻，適合高電壓和高功率應用。
領域和模塊應用：
應用領域和模組示例
1. **高電壓開關電源:**
- FQP9N90C-VB 可用於高電壓開關電源設計中，特別是在需要高電壓處理能力的應用場景。其高VDS值使其能夠穩定地處理高電壓負載，提高系統的可靠性和性能。
2. **功率逆變器:**
- 在功率逆變器中，尤其是用於太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統，FQP9N90C-VB 能夠有效地進行高電壓DC-AC轉換，確保系統的穩定運行和高效率。
3. **高壓電機驅動器:**
- 該MOSFET 適用於高壓電機驅動器中的開關控制，能夠處理高電壓並驅動高功率電機模組，在工業自動化和電力傳動系統中表現出色。
4. **電力電子模組:**
- FQP9N90C-VB 可以在各種電力電子模組中使用，如電力調節和電源保護電路，其高電壓和中等電流能力適合各種模組應用，提供穩定的性能。
5. **高電壓開關應用:**
- 在需要高電壓開關的應用中，例如高壓電源管理和電力保護電路，FQP9N90C-VB 提供了良好的性能和可靠性，能夠滿足高電壓操作要求。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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