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FS10UM-9-VB 產品詳細

產品簡介:

FS10UM-9-VB MOSFET 產品簡介

FS10UM-9-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,封裝形式為 TO220,專為高電壓和中等電流應用設計。該 MOSFET 採用 SJ_Multi-EPI 技術,具備優良的電流處理能力和低導通電阻。FS10UM-9-VB 的漏極源極電壓(VDS)高達 650V,使其適用於要求高電壓的應用。其閾值電壓(Vth)為 3.5V,門極源極電壓(VGS)範圍為 ±30V,提供了廣泛的相容性。導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時為 500mΩ,能夠在高電壓環境中有效控制電流。最大連續漏極電流(ID)為 9A,適合用於中等電流的高電壓應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
FS10UM-9-VB MOSFET 參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單 N-Channel
- **漏極源極電壓 (VDS)**:650V
- **門極源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 500mΩ(VGS=10V)
- **連續漏極電流 (ID)**:9A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **高電壓開關電源**:
FS10UM-9-VB 的高漏極源極電壓(VDS)和中等電流能力使其在高電壓開關電源應用中表現出色。它適用於高電壓 DC-DC 轉換器和開關電源中,能夠處理高電壓和中等電流負載,提供可靠的電源開關功能,提高系統的穩定性和效率。

2. **高電壓逆變器**:
在高電壓逆變器應用中,FS10UM-9-VB 的規格使其能夠處理高電壓負載並提供穩定的開關性能。它非常適合用於太陽能逆變器和其他高電壓逆變系統,以確保高效的功率轉換和系統可靠性。

3. **電動汽車 (EV) 充電系統**:
FS10UM-9-VB 的高電壓能力使其適用於電動汽車充電系統中的高電壓控制任務。它能夠有效地處理高電壓充電應用,確保充電過程的穩定性和安全性,從而提升電動汽車的充電效率。

4. **高功率功率放大器**:
在高功率功率放大器應用中,FS10UM-9-VB 提供了必要的電壓和電流處理能力。它可以用於開關功率放大器的電流,確保放大器在高電壓環境下穩定工作,提高系統性能和效率。

這些應用示例展示了 FS10UM-9-VB 在高電壓環境中的優勢,特別適合於需要高電壓處理和中等電流控制的電子系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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