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FS70UMJ-2-VB 產品詳細

產品簡介:

FS70UMJ-2-VB MOSFET 產品簡介

FS70UMJ-2-VB 是一款高性能單級 N-Channel MOSFET,採用 TO220 封裝。該 MOSFET 的漏極-源極電壓 (VDS) 為 100V,適用於中等電壓的應用。其柵極-源極電壓 (VGS) 允許在 ±20V 範圍內操作,閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,提供了優良的開關性能。FS70UMJ-2-VB 具有低導通電阻,分別為 20mΩ (VGS=4.5V) 和 9mΩ (VGS=10V),在不同柵極電壓下表現優異。其最大漏極電流 (ID) 高達 100A,適合處理大電流應用。該 MOSFET 採用 Trench 技術,能夠提供高效的開關速度和低導通損耗,適用於要求高功率和高頻率的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
FS70UMJ-2-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**: FS70UMJ-2-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單級 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **高效電源開關**:
FS70UMJ-2-VB 非常適合用於高效電源開關模組,如 DC-DC 轉換器和開關電源。由於其低導通電阻和高電流處理能力,這款 MOSFET 能夠有效地減少電源轉換過程中的能量損失,提高系統效率,是高功率電源模組中理想的開關元件。

2. **電機驅動器**:
在電機驅動應用中,FS70UMJ-2-VB 可以作為電機控制電路中的開關元件,特別是在需要高電流的場合。其最大漏極電流為 100A,使其能夠驅動高功率電機,包括直流電機和步進電機,提供可靠的控制和調節功能。

3. **功率放大器**:
FS70UMJ-2-VB 適用於功率放大器設計,尤其是在高電流和高功率應用中。其低導通電阻和高電流處理能力確保了功率放大器的穩定性和高效性能,適合用於需要處理大功率信號的放大器電路。

4. **高功率照明**:
在高功率照明系統中,FS70UMJ-2-VB 可用於控制照明負載,特別是在需要高電流的照明應用中。其高電流能力和低導通電阻使其能夠有效地驅動高功率 LED 照明和其他高功率照明設備,確保系統的高效和穩定運行。

這些應用場景展示了 FS70UMJ-2-VB 在高功率和中等電壓環境中的廣泛適用性,能夠為各種電子設備提供高效、可靠的性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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