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FSS239-TL-E-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**FSS239-TL-E-VB** 是一款高性能單通道N溝MOSFET,封裝為SOP8,採用Trench技術。該MOSFET 設計用於處理最大漏源電壓為30V的負載,並能夠支持高達13A的漏電流。其導通電阻在VGS=4.5V時為11mΩ,在VGS=10V時為8mΩ,顯示出優異的開關性能。FSS239-TL-E-VB 的閾值電壓為1.7V,保證了在低柵源電壓下也能有效導通,適用於需要高效開關和低功耗的應用場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

- **型號**:FSS239-TL-E-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單通道N溝MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ(VGS=4.5V)
- 8mΩ(VGS=10V)
- **最大漏電流(ID)**:13A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **低電壓電源開關**:
FSS239-TL-E-VB 非常適合用於低電壓電源開關應用。其低導通電阻和高電流能力確保了高效的開關操作,能夠有效減少能量損失,提高電路的整體效率。常見於可攜式電子設備、消費電子和電池供電設備中。

2. **負載開關**:
在負載開關應用中,FSS239-TL-E-VB 能夠可靠地切換負載並處理高電流。其低導通電阻使得開關過程中的功耗最小化,適用於各種負載切換場景,如電源分配、保護電路和負載管理模組。

3. **電源管理系統**:
該MOSFET 適合在電源管理系統中用作開關元件。其優異的開關特性和低導通電阻使其能夠在電源開關、過流保護和電源調節應用中表現出色,提高系統的穩定性和效率。

4. **DC-DC轉換器**:
在DC-DC轉換器中,FSS239-TL-E-VB 可以作為開關元件使用,其低導通電阻和高電流處理能力幫助提高轉換效率並減少功耗。適用於高效能的電源轉換模組中,如電源適配器和電池管理系統。

5. **功率管理模組**:
在功率管理模組中,FSS239-TL-E-VB 可以用作開關組件來管理和調節電源。它在功率管理、電源調節和負載管理等應用中表現優異,能夠滿足高效能和高可靠性的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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