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FSS804-TL-E-VB 產品詳細

產品簡介:

FSS804-TL-E-VB 產品簡介

FSS804-TL-E-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低電壓應用設計。它利用 Trench 技術,以提供高開關速度和低導通電阻。該 MOSFET 的最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,門極源極電壓 (VGS) 的工作範圍為 ±20V。門極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,允許在較低的門極驅動電壓下實現穩定開關。其導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 11mΩ,在 VGS 為 10V 時為 8mΩ,能夠支持最大 13A 的漏極電流。FSS804-TL-E-VB 適用於高效率的開關應用,特別是在需要低導通電阻和高電流處理能力的場景下表現優異。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

- **型號**: FSS804-TL-E-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 30V
- **門極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **漏極-源極導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組

FSS804-TL-E-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在以下領域和模組中表現出色:

1. **電源管理系統**: 在電源管理電路中,如 DC-DC 轉換器和電源開關,FSS804-TL-E-VB 提供高效的開關性能。其低導通電阻幫助減少功耗,提高電源轉換效率,非常適合需要高效能的電源管理系統。

2. **電池保護電路**: 在電池保護電路中,FSS804-TL-E-VB 能作為開關元件,為電池提供保護功能。其高開關速度和低導通電阻有效保護電池免受過流和過壓的影響,有助於延長電池使用壽命。

3. **電機驅動**: 在電機驅動應用中,例如步進電機或無刷電機控制,FSS804-TL-E-VB 能夠處理高電流並保持低導通電阻,從而提高電機的運行效率和性能,適用於電機控制電路的開關和驅動功能。

4. **消費電子產品**: 在智能手機、平板電腦等消費電子產品中,FSS804-TL-E-VB 可以用於電源管理和開關控制。其緊湊的 SOP8 封裝適合空間受限的設計,提供高效能的電池管理和功率控制解決方案。

5. **負載開關**: 在負載開關應用中,FSS804-TL-E-VB 提供可靠的開關控制能力,能夠處理高電流負荷。其低導通電阻幫助減少功耗,適用於需要高開關速度和低功耗的負載開關場景。

綜上所述,FSS804-TL-E-VB MOSFET 憑藉其高性能、低功耗的特點,在各種高效率電子應用中均能發揮重要作用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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