FU410A-VB - VBsemi MOSFETs製造商

FU410A-VB 產品詳細

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參數
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產品簡介：

FU410A-VB MOSFET 產品簡介

FU410A-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET，採用TO220封裝和Plannar技術。該MOSFET 設計用於高壓應用，具有650V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），適合用於需要可靠性和耐壓性的高壓電路中。其開啟電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在VGS為4.5V時為3900mΩ，在VGS為10V時為3120mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。FU410A-VB 以其高耐壓和穩定的性能，廣泛應用於各種高壓電力電子設備中。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A			3120mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術類型**: Plannar技術

領域和模塊應用：

應用領域及模組示例

FU410A-VB 由於其高壓特性和穩健的性能，適合應用於需要高耐壓和可靠性的高壓電力電子領域。在電源管理模組中，它可以作為高壓開關元件使用，適用於AC-DC轉換器和逆變器中，幫助實現高效的電力轉換。在高壓電源適配器和充電器中，FU410A-VB 能夠處理較高的電壓，確保設備在高壓環境中的穩定運行。此外，該MOSFET 還適用於工業自動化設備中的高壓驅動電路、以及太陽能逆變器中高壓側的開關控制器件。其高耐壓能力確保了設備在惡劣電氣環境中的可靠性和安全性。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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