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FY5ACJ-03F-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

FY5ACJ-03F-VB 是一款高性能的雙N-Channel MOSFET,採用SOP8封裝。其設計用於中低電壓的開關和電源管理應用,特別適合需要多個N-Channel MOSFET的緊湊電路。該MOSFET利用Trench技術製造,具有低導通電阻和良好的電流處理能力,能夠在各種電子設備中提供高效、穩定的性能。其雙MOSFET配置使其在功率開關和電源管理應用中更加靈活高效。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
詳細參數說明

- **型號**: FY5ACJ-03F-VB
- **封裝形式**: SOP8
- **配置**: 雙N+N-Channel
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:
- 6.8A (第一個MOSFET)
- 6.0A (第二個MOSFET)
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組

FY5ACJ-03F-VB MOSFET 的雙N-Channel配置特別適用於需要緊湊、高效電源管理和開關的場合。其低導通電阻使其在電源轉換器和穩壓器中能夠有效減少功耗和提高系統效率。在電腦主板、通信設備和其他高效能電子設備中,該MOSFET可用於高頻開關和功率管理電路中,確保系統的穩定性和高效能。

此外,FY5ACJ-03F-VB 還適合用於電機驅動系統和LED驅動電路中,提供可靠的高電流開關能力。在移動設備和汽車電子系統中,該MOSFET可以作為負載開關,優化功率控制並提高設備性能。其小巧的SOP8封裝和雙MOSFET設計使其在空間受限的應用中具有明顯的優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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