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G4712SS-VB 產品詳細

產品簡介:

一、G4712SS-VB 產品簡介

G4712SS-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低電壓高電流應用而設計。它支持最高 30V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該器件具有 1.7V 的閾值電壓(Vth),並且在 VGS=10V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 低至 8mΩ,在 VGS=4.5V 時為 11mΩ,能夠承載高達 13A 的漏極電流(ID)。憑藉先進的溝槽技術(Trench),G4712SS-VB 在提供高效開關性能的同時,能夠降低功率損耗,廣泛適用於各種電源管理和開關應用中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
二、G4712SS-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=10V: 8mΩ
- @ VGS=4.5V: 11mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: 溝槽技術(Trench)

領域和模塊應用:

三、應用領域與模組舉例

G4712SS-VB 由於其低導通電阻和高電流處理能力,在多種需要高效率和高性能的電子設備中得到廣泛應用。以下是該 MOSFET 的一些典型應用場景:

1. **DC-DC 轉換器**: G4712SS-VB 非常適合用於低電壓、高效率的 DC-DC 轉換器。其低 RDS(ON) 特性在轉換器中減少功率損耗,提高轉換效率,是可攜式設備電源模組的理想選擇。

2. **電池管理系統 (BMS)**: 在電池管理系統中,G4712SS-VB 可用作開關器件,確保電池的充放電過程高效、穩定。其低導通電阻有助於減少發熱,提高系統的整體可靠性。

3. **負載開關**: 在需要高效電源切換的場合,如消費電子產品中的負載開關應用,G4712SS-VB 提供了快速的開關速度和低功耗,有效延長電池壽命。

4. **電動工具**: G4712SS-VB 可以在電動工具中作為開關元件使用,憑藉其高電流能力和低導通電阻,確保工具在高負載下仍能穩定工作。

5. **消費電子**: 在智能手機、平板電腦等消費電子設備中,G4712SS-VB 可用於電源管理模組中,通過提供高效的電源轉換和管理,提升設備的性能和能效。

G4712SS-VB 的高效能、高可靠性和低功耗特性,使其成為各類低電壓高電流應用中的理想選擇,為現代電子設備提供卓越的電源管理解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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