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H6968S-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介

**H6968S-VB** 是一款雙N溝道MOSFET,採用SOP8封裝。該器件具有兩個N溝道MOSFET,可以在有限的板空間內實現更高的電流密度和開關效率。它的最大漏源電壓(VDS)為20V,適用於低電壓應用。柵源電壓(VGS)額定值為±12V,使其能夠在較低的柵極驅動電壓下工作。其閾值電壓(Vth)範圍為0.5V到1.5V,保證了在低柵極電壓下的可靠開關性能。H6968S-VB 的導通電阻(RDS(ON))分別為26mΩ(VGS = 4.5V)和19mΩ(VGS = 10V),並能處理高達7.1A的電流,適用於要求較高開關效率的應用。基於Trench技術,該器件提供了優異的導通特性和熱性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
二、詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 26mΩ @ VGS = 4.5V,19mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7.1A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組示例

**H6968S-VB** MOSFET 在以下領域和模組中具有廣泛的應用:

1. **可攜式電子設備**:在智能手機、平板電腦、可攜式充電器等低電壓、低功耗設備中,H6968S-VB 的低閾值電壓和較低的導通電阻使其非常適合用於電池管理和負載開關電路。這些設備要求高效的電能管理和低的功耗,H6968S-VB 能夠滿足這些需求。

2. **直流-直流轉換器**:該器件適用於低電壓DC-DC轉換器,如筆記本電腦和其他便攜設備的降壓轉換器。這些應用需要高效的電源轉換,H6968S-VB 提供了低損耗的導通性能和可靠的開關操作。

3. **電機控制電路**:在玩具、電動工具等小型電機控制系統中,H6968S-VB 能夠在有限的電壓範圍內提供有效的電流管理,使其適合用於控制小型電機的速度和方向。

4. **邏輯電平轉換**:由於其較低的閾值電壓,該器件還可以應用於邏輯電平轉換電路中,確保在不同電壓域之間傳遞信號時的可靠性。H6968S-VB 的雙通道設計使其在空間有限的情況下,能夠有效地支持多信號處理。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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