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H7N0602AB-VB 產品詳細

產品簡介:

H7N0602AB-VB MOSFET 產品簡介

H7N0602AB-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為中低電壓、大電流應用設計。該器件具有60V的漏源電壓(VDS)和高達120A的連續漏極電流(ID),在VGS=10V時的導通電阻(RDS(ON))僅為5mΩ。通過先進的Trench技術,這款MOSFET在實現低導通電阻的同時,也具備了高效率的開關特性,廣泛適用於電源管理、電機控制以及高功率轉換等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
詳細參數說明

- **封裝:** TO220
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 60V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID):** 120A
- **技術:** Trench

H7N0602AB-VB 的低導通電阻確保了較低的功率損耗,高達120A的電流承載能力使其非常適合大電流需求的應用場景。

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

1. **電機控制:**
H7N0602AB-VB 非常適合用於電機驅動電路,特別是在需要高電流控制的應用中。其低導通電阻使得MOSFET在電機啟動和運行時能夠保持較低的能耗,提高了電機的整體效率和性能。

2. **DC-DC 轉換器:**
該MOSFET 在DC-DC轉換器中作為主開關元件,可以有效提升轉換效率。其低導通電阻和高電流處理能力使其能夠在高功率條件下穩定工作,為電源模組提供穩定的輸出。

3. **電源管理:**
在電源管理模組中,H7N0602AB-VB 用於控制大電流負載的開關操作,確保電路中的能量傳輸效率。它適用於各種工業和消費電子產品的電源管理系統,如UPS(不間斷電源)、伺服器電源和高效電源適配器。

4. **負載開關:**
由於其出色的電流承載能力和低導通電阻,該MOSFET 非常適用於高電流負載的開關應用,例如電池管理系統和大功率開關設備。

5. **功率逆變器:**
H7N0602AB-VB 也適用於功率逆變器中,用於將直流電轉換為交流電。在這種應用中,MOSFET的高電流能力和快速開關特性能夠有效提高逆變器的效率和穩定性。

H7N0602AB-VB 的設計使其在高效、高功率應用中表現優異,是各種電源和電機控制應用的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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