HAT1021RJ-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HAT1021RJ-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介：HAT1021RJ-VB

HAT1021RJ-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單P溝道（Single-P-Channel）MOSFET。它具有 -20V 的最大漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。這款 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 在不同的柵電壓下分別為 21mΩ @ VGS=2.5V 和 15mΩ @ VGS=4.5V，能夠在 -13A 的負載電流下保持低損耗特性。使用 Trench 技術，這款 MOSFET 提供了優異的開關性能和低導通電阻，適合各種高效電源管理和負載開關應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-20V		-0.6V	-13A	21mΩ			Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-20V		-0.6V	-13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-20V		-0.6V	-13A		Trench

詳細參數說明：

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單P溝道（Single-P-Channel）
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 21mΩ @ VGS=2.5V
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: -13A
- **技術**: Trench 技術
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C

領域和模塊應用：

應用領域和模組示例：

1. **電池管理系統**: HAT1021RJ-VB 可用於電池保護電路中，作為負載開關控制電池的充電和放電。其低導通電阻和高電流承載能力可以有效減少功率損耗，提升電池系統的效率和壽命。

2. **功率開關**: 在各種功率開關應用中，例如電源轉換器和高效電源管理模組，HAT1021RJ-VB 可用作高側開關或低側開關。其優異的開關性能和低導通電阻使其能夠在高頻率和高負載條件下穩定運行。

3. **低功耗設備**: 在需要低功耗和高效開關的設備中，如可攜式電子產品和電池供電的設備，HAT1021RJ-VB 可以用作負載開關，優化電源管理並延長設備的使用時間。

HAT1021RJ-VB 的設計特性使其在這些領域中成為高效可靠的選擇，特別是在要求低導通電阻和高電流處理能力的應用場合。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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