產品簡介:
一、HAT1048R-VB的產品簡介
HAT1048R-VB是一款高性能P溝道功率MOSFET,採用SOP8封裝。該MOSFET設計用於負電壓應用,具有極低的導通電阻和高電流承載能力,非常適合高效能電源和開關控制系統。其最大漏源電壓為-30V,柵源電壓範圍為±20V,閾值電壓為-3V。HAT1048R-VB的導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為8mΩ,在VGS=10V時為5mΩ,支持最高-18A的連續漏極電流。採用Trench技術,提供優異的開關性能和低導通損耗,適合要求高電流和低損耗的應用場景。
文件下載
產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-18A |
|
|
5mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-18A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-3V |
-18A |
|
Trench |
二、HAT1048R-VB的詳細參數說明
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 8mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -18A
- **技術類型**: Trench
- **最大功耗 (Pd)**: 1.5W
- **開關速度**: 快速
- **結電容 (Ciss)**: 1600pF @ VDS=-25V, VGS=0V
- **反向恢復時間 (trr)**: 40ns
- **工作溫度範圍**: -55°C至+150°C
領域和模塊應用:
三、HAT1048R-VB的應用領域及模組示例
HAT1048R-VB MOSFET的高電流承載能力和極低的導通電阻,使其在多種高性能電子設備中表現出色。以下是一些典型的應用領域和模組示例:
1. **電源管理系統**: 在電源管理系統中,HAT1048R-VB可以用於高效能的直流-直流轉換器(DC-DC Converter)和電源保護電路,實現低損耗開關控制,提高系統的整體效率。
2. **電動汽車電源模組**: 在電動汽車中,該MOSFET適用於電池管理系統(BMS)和電動機驅動控制,通過提供穩定的電流支持和高效的負電壓控制,提高電動汽車的性能和可靠性。
3. **高效開關電源(SMPS)**: 在開關電源的負極開關部分,HAT1048R-VB能夠有效降低開關損耗,提升電源轉換效率,適用於各種高功率電源模組。
4. **負載開關**: 在工業自動化和電機驅動器等應用中,這款MOSFET可以作為負載開關提供低導通電阻和高電流承載能力,確保設備的高效穩定運行。
5. **保護電路**: HAT1048R-VB也適用於電子設備中的保護電路,例如過流保護和反向電壓保護,防止電源極性錯誤或過電流情況對系統造成損害。
通過在這些領域中的應用,HAT1048R-VB能夠顯著提升電子系統的性能和可靠性,滿足高效能和低損耗的設計需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援:
* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您