HAT1097R-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HAT1097R-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

HAT1097R-VB MOSFET 產品簡介

HAT1097R-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單 P 通道功率 MOSFET，具有-60V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS) 範圍。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 -1.7V，確保其在較低的柵極驅動電壓下也能有效導通。其導通電阻 (RDS(ON)) 在柵極驅動電壓為 4.5V 和 10V 時分別為 63mΩ 和 60mΩ。最大連續漏極電流 (ID) 為 -8A。採用 Trench 技術，使得該器件具有低導通電阻和良好的開關性能，適用於高效能的電源管理和開關應用。

文件下載

下載PDF檔案

立即下載

點擊查看大圖

產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-60V		-1.7V	-8A			60mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-60V		-1.7V	-8A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-60V		-1.7V	-8A		Trench

HAT1097R-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **極性配置**: 單 P 通道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 63mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -8A
- **技術類型**: Trench
- **其他特性**: 低導通電阻、穩定的開關性能、耐高壓

領域和模塊應用：

應用領域及模組示例

1. **電源管理系統**: HAT1097R-VB 可用於各種電源管理應用，包括 DC-DC 轉換器和電源開關。其低導通電阻能夠減少功耗，提高轉換效率，適合於需要高效能和低能耗的電源設計。

2. **汽車電子**: 在汽車電子系統中，HAT1097R-VB 可用於電池管理、車載電源控制以及電動座椅和窗戶控制等模組。其耐高壓能力和高電流處理能力使其在汽車環境中表現穩定可靠。

3. **工業自動化**: 在工業自動化設備中，這款 MOSFET 可以用於電機驅動控制、負載開關以及其他高電流應用。其優秀的開關性能和低導通電阻有助於提高設備的整體效率和耐用性。

4. **消費電子**: HAT1097R-VB 適用於智能家居設備和可攜式電子產品中的電源開關和調節模組。其高效的開關特性和低功耗設計能夠提升設備的電池壽命和性能。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

推广型号

HAT1097R-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

推广型号

HAT1097R-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請

序列號驗證