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HAT1123R-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT1123R-VB 產品簡介

HAT1123R-VB 是一款高性能P溝道MOSFET,封裝形式為SOP8。此器件設計用於高效的負電壓應用,具備-30V的漏源極電壓 (VDS) 和±20V的柵源極電壓 (VGS)。具有-1.7V的閾值電壓 (Vth),確保在較低柵電壓下能夠可靠開啟。該MOSFET採用先進的Trench溝槽技術,提供了低導通電阻的特性:在VGS=4.5V時為56mΩ,在VGS=10V時為33mΩ,且最大漏極電流可達-5.8A。這使得HAT1123R-VB適用於各種高效能和高可靠性的電源管理及開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 33mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
HAT1123R-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **溝道配置**: 單極性P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 56mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -5.8A
- **技術**: Trench (溝槽技術)

領域和模塊應用:

應用領域和模組

HAT1123R-VB MOSFET在多個領域和模組中有廣泛的應用,主要包括:

1. **電源管理**: 在DC-DC轉換器和電源開關模組中,HAT1123R-VB能夠有效地管理負載開關,降低導通損耗,從而提高系統的整體效率和穩定性。

2. **負載開關**: 該MOSFET廣泛應用於消費電子和便攜設備的負載開關,幫助控制電源的開啟和關閉,同時降低功耗和提高設備的回應速度。

3. **電池保護**: 在電池管理系統中,HAT1123R-VB可以用於電池保護電路,防止過流和過壓情況,確保電池的安全和長壽命。

4. **汽車電子**: 該MOSFET在汽車電子系統中用於電池保護、燈光控制和電動助力轉向系統中,提供高效的開關控制和可靠的性能。

5. **電動工具**: 在電動工具和家用電器中,HAT1123R-VB用於電機控制和其他負載管理,確保高效能和穩定操作。

這些應用例子展示了HAT1123R-VB在負電壓環境下的高效能和可靠性,使其成為各種高效電源和負載開關系統中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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