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HAT1128RJ-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT1128RJ-VB MOSFET 產品簡介

HAT1128RJ-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,採用 SOP8 封裝,設計旨在滿足現代電子設備對高效能和高可靠性的需求。該器件使用 Trench 技術,具有非常低的導通電阻和高電流處理能力,適合於各種需要高效能開關和電源管理的應用場合。HAT1128RJ-VB 的優異特性使其在小型化和高密度電子設計中表現突出。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
HAT1128RJ-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單一 P-Channel
- **漏源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -13.5A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

HAT1128RJ-VB MOSFET 應用領域和模組示例

1. **電源管理模組**: HAT1128RJ-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於電源管理模組,特別是在需要高效率和低功耗的應用中。它可以有效地降低功耗和熱量生成,提高系統的整體效率和穩定性。

2. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 轉換器中,HAT1128RJ-VB 提供了優異的開關性能和低導通電阻,有助於提高轉換器的效率。特別適用於需要高開關頻率和大電流處理的應用環境。

3. **負載開關**: 由於其高電流承載能力和低導通電阻,HAT1128RJ-VB 非常適合用於負載開關。它能夠有效地控制負載開關,確保負載開關操作的可靠性和效率,特別是在可攜式和小型設備中。

4. **電池保護電路**: HAT1128RJ-VB 也可用於電池保護電路,其高電流能力和低導通電阻幫助確保電池的安全和長壽命。在電池過充、過放電保護等場合中,該 MOSFET 可以有效地保護電池免受損壞。

通過這些應用示例,HAT1128RJ-VB MOSFET 展示了其在電源管理、開關控制和保護電路中的多種應用優勢,滿足了現代電子設計對高效能和高可靠性的要求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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