HAT1128R-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HAT1128R-VB 產品詳細

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產品簡介：

HAT1128R-VB MOSFET 產品簡介

HAT1128R-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單 P 溝道 MOSFET，專為高電流和高效開關應用設計。它支持 -30V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，並採用先進的 Trench 技術製造，具有低導通電阻和高電流處理能力。該 MOSFET 適用於需要高功率密度和高開關效率的各種電子設備和電路。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A			11mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A		Trench

HAT1128R-VB MOSFET 參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **溝道配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 15mΩ @ VGS=4.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -13.5A
- **技術類型**: Trench

領域和模塊應用：

HAT1128R-VB MOSFET 應用領域和模組示例

HAT1128R-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其非常適合高功率密度和小型化設計的應用。在開關電源 (SMPS) 中，它可以作為高效的開關元件，減少功率損耗並提高系統效率。在電池管理系統中，該 MOSFET 可以用於電池的負極開關控制，確保高效且安全的充放電操作。在汽車電子系統中，例如電動汽車的電機控制和功率分配模組，HAT1128R-VB 的高電流處理能力和優異的開關性能提供了可靠的電流管理。在高頻開關應用中，如開關調節器和功率管理積體電路 (PMIC)，它能夠實現快速開關和高效性能，滿足嚴苛的電路要求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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