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HAT2022RJ-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2022RJ-VB MOSFET 產品簡介

HAT2022RJ-VB 是一款單極N溝道MOSFET,採用先進的Trench技術,專為高效能電源開關和管理應用設計。該MOSFET封裝在SOP8封裝中,具備最大漏源電壓(VDS)為30V,能夠處理高達13A的連續漏電流(ID)。其門極閾值電壓(Vth)為1.7V,適合在較低的門源電壓下操作。該MOSFET 的低RDS(ON)值確保了優異的導通性能,有效減少了導通損耗和發熱,提高了整體系統的效率。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單極N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 30V
- **門源電壓 (VGS):** ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V:** 11mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V:** 8mΩ
- **連續漏電流 (ID):** 13A
- **技術:** Trench

領域和模塊應用:

應用示例

1. **電源開關:** HAT2022RJ-VB 適用於高效能電源開關應用。其低RDS(ON)值可以顯著降低開關過程中的功耗和發熱,適合用於電源供應單元和電源管理模組中,提升系統的整體效率和可靠性。

2. **DC-DC 轉換器:** 在DC-DC轉換器的開關部分,尤其是在降壓和升壓轉換器中,HAT2022RJ-VB 的優良開關性能和低導通電阻可以提高電源轉換效率,適用於電腦電源、通信設備和其他需要高效能電源設計的應用。

3. **電動汽車 (EV) 電池管理:** HAT2022RJ-VB 適合用於電動汽車的電池管理系統中。其高電流處理能力和低導通電阻能夠有效保護電池,確保充電和放電過程中的安全,提升系統的可靠性。

4. **負載開關:** 在各種負載開關應用中,HAT2022RJ-VB 可以提供可靠的開關性能。特別適用於家用電器、消費電子產品以及中等功率的工業設備,確保高效能和穩定性。

這些示例展示了HAT2022RJ-VB MOSFET 在電源開關、DC-DC轉換器、電池管理和負載開關等領域的廣泛應用,表明其在高效能和高功率密度應用中的顯著優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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