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HAT2029RJ-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2029RJ-VB MOSFET 產品簡介

HAT2029RJ-VB是一款採用SOP8封裝的雙N+N溝道MOSFET,設計用於低電壓和高效能的應用場景。該器件採用先進的溝槽(Trench)技術,能夠在較低的柵極驅動電壓下實現出色的導通特性和較低的導通電阻。這使其在空間有限且需要高效能的應用中表現出色,尤其適用於DC-DC轉換器、電池管理系統和其他對開關速度和效率要求較高的電源管理模組。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
HAT2029RJ-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N+N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**:
- 6.8A (VGS = 10V)
- 6.0A (VGS = 4.5V)
- **技術類型**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組

1. **電源管理模組**:HAT2029RJ-VB MOSFET因其低導通電阻和高開關速度,非常適用於電源管理模組中的DC-DC轉換器。這些轉換器需要在各種負載條件下保持高效率,而HAT2029RJ-VB可以有效地減少開關損耗,提高整體系統的能效。

2. **電池管理系統 (BMS)**:在電池管理系統中,MOSFET通常用作開關以控制電池的充電和放電。HAT2029RJ-VB的高效能和低導通電阻,使其適合應用於需要精確控制和高效率的BMS中,尤其是在可攜式設備和電動汽車的電池管理中。

3. **低電壓電機驅動**:由於其30V的VDS和良好的電流處理能力,HAT2029RJ-VB也可以用於低電壓的電機驅動應用中,如風扇、泵以及其他小型電機的驅動電路。這些應用通常要求MOSFET具備高效的開關性能和低功耗特性,HAT2029RJ-VB完全滿足這些要求。

這些特性使得HAT2029RJ-VB成為需要高效能和可靠性的現代電子設備中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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