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HAT2195R-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HAT2195R-VB 產品簡介

HAT2195R-VB 是一款高性能單通道 N型MOSFET,封裝為 SOP8。它設計用於高效能電源開關和控制應用,具有30V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS)承受能力。其開啟電壓(Vth)為1.7V,能在較低的柵電壓下實現良好的開關特性。HAT2195R-VB 採用先進的 Trench 技術,提供極低的導通電阻,分別為5mΩ(VGS=4.5V)和4mΩ(VGS=10V),並具備高達18A的額定漏極電流,適合用於高電流和低功耗的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
二、HAT2195R-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單通道 N型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **額定漏極電流(ID)**: 18A
- **技術**: Trench技術
- **封裝形式**: SOP8

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組

HAT2195R-VB MOSFET 由於其優異的性能參數,適用於多個領域和模組:

1. **電源管理系統**: 在電源管理應用中,HAT2195R-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其能夠有效控制電源開關,提高電源轉換效率,廣泛應用於DC-DC轉換器和穩壓器中,以減少功耗和提升系統性能。

2. **負載開關**: 該MOSFET 在負載開關應用中表現出色,能夠快速、可靠地切換負載,適用於各種消費電子產品和工業設備,如電池供電設備中的負載開關控制。

3. **電機驅動**: 在電機驅動應用中,HAT2195R-VB 的高額定電流和低導通電阻使其能夠有效驅動直流電機,提供平穩的電機控制,適合用於電動車、電動工具等需要高電流控制的場合。

4. **開關電源**: 由於其優秀的開關性能,HAT2195R-VB 也適合用於開關電源設計中,如AC-DC和DC-DC轉換器,以提升電源轉換效率並減少開關損耗。

這些應用展示了 HAT2195R-VB 在電源管理、負載控制、電機驅動和開關電源中的高效能和可靠性,確保了設備的穩定性和性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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