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HAT2195WP-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2195WP-VB 產品簡介

HAT2195WP-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,採用DFN8(5x6)封裝,設計用於高效能和高電流應用。該MOSFET能夠處理高達30V的漏源電壓(VDS),並具備20V的柵源電壓(VGS)容許範圍。其閾值電壓為1.7V,確保MOSFET在較低的柵源電壓下有效開關。HAT2195WP-VB利用Trench技術,提供了極低的導通電阻,包括5mΩ(在VGS = 4.5V時)和3mΩ(在VGS = 10V時),漏極電流高達120A。這使得該器件在高電流和高功率應用中表現出色,適合用於需要高功率密度和低功耗的現代電子系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
HAT2195WP-VB 詳細參數說明

1. **封裝形式**:DFN8 (5x6)
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源電壓(VDS)**:30V
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V
5. **閾值電壓(Vth)**:1.7V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
7. **漏極電流(ID)**:120A
8. **技術類型**:Trench技術

領域和模塊應用:

HAT2195WP-VB 的應用領域和模組示例

HAT2195WP-VB MOSFET由於其卓越的低導通電阻和高電流處理能力,適用於以下領域和模組:

1. **高效電源轉換器**:該MOSFET在DC-DC轉換器和電源模組中表現優異,能夠提供低功耗的電流開關。其低導通電阻降低了開關損耗,提高了電源轉換的整體效率,適合用於要求高效能和高功率密度的電源設計中。

2. **電機驅動系統**:HAT2195WP-VB的高電流處理能力使其非常適合用於電機驅動應用,例如直流電機或步進電機的驅動電路。其高電流能力和低導通電阻確保了電機驅動系統的高效運行和可靠性,適用於各種工業自動化和家電產品中。

3. **功率管理系統**:在需要高電流開關和管理的電源系統中,HAT2195WP-VB能夠提供穩定的電流控制,如電池管理系統和高功率負載開關。其低導通電阻有助於減少功率損耗,提升整體系統性能。

4. **電動汽車及充電設備**:在電動汽車的電源管理和充電系統中,HAT2195WP-VB能夠處理高電流和高功率要求,提供可靠的開關性能和高效能。其低導通電阻和高電流能力對提高電動汽車系統的效率和性能至關重要。

這些應用示例表明,HAT2195WP-VB MOSFET在高電流和高效能應用中具有顯著優勢,適合用於需要高功率密度和低功耗的現代電子系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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