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HAT2208WP-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2208WP-VB MOSFET 產品簡介

HAT2208WP-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,採用 DFN8(5X6) 封裝。它設計用於處理高電流應用,具有出色的開關性能和優異的熱管理能力。該 MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 為 30V,柵源極電壓 (VGS) 支持 ±20V 的高電壓範圍,確保其在各種電壓條件下穩定工作。HAT2208WP-VB 的柵極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,允許在較低的控制電壓下實現高效開關。通過 Trench 技術製造,HAT2208WP-VB 提供了非常低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS 為 4.5V 時為 9mΩ,在 VGS 為 10V 時為 7mΩ,支持高達 80A 的連續漏極電流 (ID),使其在高電流應用中具有卓越的表現。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
HAT2208WP-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package):** DFN8(5X6)
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵源極電壓 (VGS):** ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID):** 80A
- **技術類型 (Technology):** Trench 技術

領域和模塊應用:

HAT2208WP-VB 應用領域與模組示例

1. **電源管理:** HAT2208WP-VB 在電源管理系統中表現出色,特別是在高效的 DC-DC 轉換器和電源路徑管理模組中。由於其低導通電阻和高電流處理能力,該 MOSFET 能夠有效降低功耗,提高系統效率,適合用於高功率密度的電源轉換和管理應用。

2. **電機驅動:** 在電機驅動應用中,如步進電機和直流電機驅動器,HAT2208WP-VB 的高電流能力和低導通電阻使其能夠提供穩定的電流支持,從而提高電機的控制精度和系統的整體效率。它適用於需要高電流和高效能的電機控制系統。

3. **負載開關:** 由於其低導通電阻和高電流能力,HAT2208WP-VB 是負載開關應用的理想選擇。在各種高電流負載開關場合中,它能夠高效地進行開關操作,適用於電池管理系統、高功率開關模組等。

4. **消費電子產品:** 在消費電子設備中,如智能手機、平板電腦和可攜式設備,HAT2208WP-VB 的緊湊封裝和高效能使其成為電源路徑控制和電池管理的理想選擇。它能夠幫助提升設備的電池壽命和整體性能,特別是在高功率需求和高電流條件下。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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