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HAT2215RJ-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HAT2215RJ-VB 產品簡介

HAT2215RJ-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,採用 SOP8 封裝。這款 MOSFET 配備兩個 N 溝道 MOSFET,能夠處理高達 80V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為 1.7V,並採用 Trench 技術,提供了較低的導通電阻(RDS(ON)),具體為 62mΩ @ VGS=10V。每個通道的最大漏極電流(ID)為 3.5A,使其適合在需要高電壓和中等電流的應用中使用。HAT2215RJ-VB 的雙通道設計使其能夠在有限的空間內提供靈活的開關解決方案,適用於各種功率管理和開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 80V 1.7V 3.5A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 80V 1.7V 3.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 80V 1.7V 3.5A Trench
二、HAT2215RJ-VB 詳細參數說明

- **封裝類型(Package)**: SOP8
- **通道配置(Configuration)**: 雙 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 80V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 62mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 3.5A(每個通道)
- **技術類型(Technology)**: Trench 技術

領域和模塊應用:

三、HAT2215RJ-VB 應用領域與模組舉例

1. **電源管理系統**: HAT2215RJ-VB 的高漏源電壓(80V)和適中的導通電阻使其非常適合用於電源管理系統中的高電壓開關和功率控制模組。雙通道設計可以有效地處理電源開關中的兩個方向的電流流動,優化電源管理和功率分配。

2. **電機驅動**: 在電機驅動應用中,HAT2215RJ-VB 的雙通道結構能夠提供雙向電流開關,適合用於 H 橋電路。其 80V 的高漏源電壓和 3.5A 的漏極電流能夠滿足電機驅動中對高電壓和中等電流的需求,提高電機控制系統的效率和可靠性。

3. **消費電子產品**: 對於智能手機、筆記本電腦等消費電子產品,HAT2215RJ-VB 的 SOP8 封裝和雙通道配置使其適用於電池管理、電源開關和高效電源轉換模組。這種設計能夠在有限空間內提供靈活的開關解決方案,滿足高效能和小型化的要求。

4. **工業自動化**: 在工業控制和自動化系統中,HAT2215RJ-VB 可以用於功率開關和負載控制應用。其雙通道設計允許在單個封裝中處理多個開關信號,優化工業設備的控制和監測系統的空間佈局和性能。

HAT2215RJ-VB 的雙通道設計、高電壓處理能力和中等導通電阻使其在多種需要靈活開關配置和高電壓處理的應用中表現出色,特別適合用於需要緊湊封裝和高效開關解決方案的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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