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HAT2226R-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2226R-VB 產品簡介

HAT2226R-VB是一款高電壓N溝道功率MOSFET,採用SOP8封裝,專為需要處理高電壓和中等電流的應用設計。該MOSFET可以處理高達650V的漏源電壓(VDS),並支持高達30V的柵源電壓(VGS)範圍。其閾值電壓為3.5V,確保在較高柵源電壓下能夠有效開關。HAT2226R-VB使用Planar技術,提供了較高的導通電阻為2400mΩ(在VGS = 10V時),漏極電流為4A。雖然導通電阻較高,但其高電壓處理能力使其在一些特定應用中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A 2400mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
HAT2226R-VB 詳細參數說明

1. **封裝形式**:SOP8
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源電壓(VDS)**:650V
4. **柵源電壓(VGS)**:±30V
5. **閾值電壓(Vth)**:3.5V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:
- 2400mΩ @ VGS = 10V
7. **漏極電流(ID)**:4A
8. **技術類型**:Planar技術

領域和模塊應用:

HAT2226R-VB 的應用領域和模組示例

HAT2226R-VB MOSFET因其高電壓耐受能力和相對高的導通電阻,適用於以下領域和模組:

1. **高電壓開關應用**:由於HAT2226R-VB能夠處理高達650V的漏源電壓,它非常適合用於高電壓開關應用,如高壓電源開關和功率轉換器。在這些應用中,能夠處理高電壓是關鍵因素,儘管導通電阻較高,但在適當的電路設計中仍能提供穩定的性能。

2. **功率管理系統**:在需要高電壓保護和管理的功率系統中,HAT2226R-VB可以作為保護開關或電流開關使用。其高電壓耐受能力使其適合於電池管理系統、高電壓保護電路和其他需要高電壓開關的應用場景。

3. **高電壓逆變器**:在高電壓逆變器應用中,如太陽能逆變器和工業逆變器,HAT2226R-VB能夠處理高電壓負載,並提供可靠的開關性能。儘管其導通電阻相對較高,但在高電壓應用中,它的高電壓能力是最重要的。

4. **電子電氣保護**:HAT2226R-VB也適用於需要高電壓保護的電子系統,例如高電壓保險絲和過電壓保護電路。其高電壓處理能力能夠有效保護其他組件免受高電壓損害。

這些應用示例展示了HAT2226R-VB在高電壓應用中的重要作用,尤其是在需要高電壓處理能力和可靠性的場景中。雖然導通電阻較高,但其高電壓能力使其在特定應用中依然具有優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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