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HAT2276RJ-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HAT2276RJ-VB 產品簡介

HAT2276RJ-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,採用 SOP8 封裝。這款 MOSFET 具備兩個 N 溝道 MOSFET,支持高達 30V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為 1.7V,採用 Trench 技術以提供較低的導通電阻(RDS(ON)),具體為 26mΩ @ VGS=4.5V 和 22mΩ @ VGS=10V。每個通道的最大漏極電流(ID)分別為 6.8A 和 6.0A。HAT2276RJ-VB 的雙通道設計適用於高效開關和功率管理應用,其緊湊的 SOP8 封裝在空間受限的應用中提供了優異的性能和靈活性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
二、HAT2276RJ-VB 詳細參數說明

- **封裝類型(Package)**: SOP8
- **通道配置(Configuration)**: 雙 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:
- 6.8A(第一個通道)
- 6.0A(第二個通道)
- **技術類型(Technology)**: Trench 技術

領域和模塊應用:

三、HAT2276RJ-VB 應用領域與模組舉例

1. **電源管理系統**: HAT2276RJ-VB 的高效開關性能和較低的導通電阻使其適合用於電源管理系統中的電源開關和功率轉換模組。其雙通道設計能夠處理多個電源路徑,優化電源分配和功率轉換效率,滿足各種高效能電源管理需求。

2. **電機控制**: 在電機控制系統中,HAT2276RJ-VB 的雙通道配置可以用於電機驅動的 H 橋電路中,支持雙向電流開關。其 30V 的漏源電壓和 6.8A 的漏極電流能力,使其適用於中等功率的電機驅動,提供穩定的電機控制和高效的驅動性能。

3. **消費電子產品**: 對於智能手機、平板電腦和其他消費電子產品,HAT2276RJ-VB 的 SOP8 封裝和雙通道設計使其適合用於電池管理系統、電源開關和高效電源轉換模組。其緊湊的封裝和高性能使其能夠在有限空間內滿足高效能和小型化的要求。

4. **工業自動化**: 在工業控制和自動化系統中,HAT2276RJ-VB 可用於功率開關和負載控制應用。其雙通道設計允許在單個封裝中實現多通道開關功能,有助於簡化工業設備的控制系統設計,提升系統的可靠性和緊湊性。

HAT2276RJ-VB 的雙通道設計和優異的開關性能使其在需要高效開關和中等功率處理的應用中表現出色,特別適合用於電源管理、電機控制和消費電子等領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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